Deposición selectiva de TiN como máscara para transferencia de patrones en circuitos integrados

Abstract

El impacto de la tecnología de la información en las últimas décadas ha cambiado la forma de vida en la sociedad moderna, principalmente gracias a la evolución de las herramientas que pueden procesar más y más información. Los circuitos integrados y su tamaño y precio decrecientes se deben principalmente a las diferentes técnicas desarrolladas para construir nuevos componentes electrónicos, lo que permite dispositivos más rápidos, más baratos y más pequeños. Esto representa un desafío para seguir mirando hacia dispositivos con mejor rendimiento, más pequeños y más baratos. Todas las computadoras que conocemos hoy están basadas en la tecnología CMOS y el bloque de construcción principal es el transistor, que es básicamente un interruptor eléctrico. Hoy en día, el tamaño de un transistor es de unos cuantos nanómetros, lo que implica técnicas y métodos muy complejos para la construcción de un circuito integrado. La técnica que interesa en este trabajo es Deposición Selectiva de Capas Atómicas (Area Selective Atomic Layer Deposition) debido a tiene la posibilidad de ser utilizada como una técnica de deposición de estructuras en dirección de abajo hacia arriba para crear patrones que se pueden usar en el diseño de circuitos integrados CMOS.