Validación experimental del modelo de circuito equivalente de pequeña señal para transistores FinFET de tres compuertas

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dc.carrera.ingenieriaMaestría en Ingeniería Eléctricaes_ES
dc.contributor.authorHernández Román, Mario Alberto
dc.date.accessioned2015-04-17T19:24:41Z
dc.date.available2015-04-17T19:24:41Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractTransistor, radiofrecuncia, frecuencia de corte, frecuencia de maxima oscilacion, finFet, parametros de pequeña señal, MOSFET.es_ES
dc.director.trabajoescritoTinoco Magaña, Julio César
dc.identifier.urihttp://132.248.52.100:8080/xmlui/handle/132.248.52.100/7120
dc.language.isoeses_ES
dc.subjectTransistor, radiofrecuncia, frecuencia de corte, frecuencia de maxima oscilacion, finFet, parametros de pequeña señal, MOSFET.es_ES
dc.titleValidación experimental del modelo de circuito equivalente de pequeña señal para transistores FinFET de tres compuertases_ES
dc.typeTesises_ES

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Tesis Maestría 2014